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9月26日，据晶盛机电（300316）（300316.SZ）官方微信号消息，首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化，标志着晶盛机电在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进，迈入高效智造新阶段。
SiC是第三代半导体材料的核心代表，因其耐高压、高频、高效等特性，广泛应用于新能源汽车、智能电网、5G通信等重点行业。同时，在AR设备、CoWoS先进封装中间基板等新兴应用领域，SiC也正逐步成为推动技术突破的关键材料。相较于8英寸产品，12英寸产品单片晶圆芯片产出量增加约2.5倍，能够在大规模生产中显著减少长晶、加工、抛光等环节的单位成本，是大幅降低下游应用成本的关键路径。
随着首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线，自此，晶盛机电正式形成了12英寸SiC衬底从装备到材料的完整闭环，彻底解决了关键装备“卡脖子”风险，为下游产业提供了成本与效率的新基准。
此次12英寸SiC中试线的正式通线是晶盛机电坚持“先进材料、先进装备”双引擎发展战略的重大成果，更是我国半导体高端装备制造能力的一次集中展示。
中邮证券研报认为，晶盛机电基于自主研发的碳化硅单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，经过多年的技术攻关，创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，攻克12英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的技术突破，成功长出12英寸导电型碳化硅晶体。同时，积极推进8英寸碳化硅衬底在全球的客户验证，送样客户范围大幅提升，产品验证进展顺利，并成功获取部分国际客户批量订单。
公司积极布局碳化硅产能，在上虞布局年产30万片碳化硅衬底项目；并基于全球碳化硅产业的良好发展前景和广阔市场，在马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目，进一步强化公司在全球市场的供应能力；同时，在银川投建年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目，不断强化公司在碳化硅衬底材料领域的技术和规模优势。
基于产业链核心设备的国产化突破，公司在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系，以高标准研发目标，逐步实现碳化硅设备产业化市场突破。公司6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先。公司碳化硅设备客户包括瀚天天成、东莞天域、芯联集成、士兰微（600460）等行业头部企业。
数据显示，受益于半导体行业持续发展及国产化进程加快，公司半导体业务持续发展，截至2025年6月30日，公司未完成集成电路及化合物半导体装备合同超37亿元（含税）。
据QYResearch调研团队最新报告“中国碳化硅功率模块市场报告2025-2031”显示，预计2031年中国碳化硅功率模块市场规模将达到40.8亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为20.0%。
晶盛机电称，未来，公司将加速推进产线的量产进程，为客户提供高质量、低成本的大尺寸碳化硅衬底，携手产业链伙伴现货配资门户，共同推动我国第三代半导体产业蓬勃发展。
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